1.7 肖特基势垒栅场效应晶体管

1966年，一种金属-半导体场效应管（Metal-Semiconductor FET, MESFET）被提出并在一年后实现，它在结构上与结型场效应管（JFET）类似，不过它与后者的区别是这种场效应管并没有使用PN结作为其栅极，而是采用金属-半导体接触所构成的肖特基势垒结的方式形成栅极，如图1.12所示，其沟道通常由化合物半导体构成，它的速度比由硅制造的结型场效应管JFET或MOSFET快很多，但是制造成本相对更高。但是金属-半导体接触可以在较低温度下形成，可以采用GaAs衬底材料制造出性能优良的晶体管。

图1.12 N型MESFET场效应晶体管结构示意图