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第2章 CMOS集成电路寄生双极型晶体管
CMOS工艺集成电路的闩锁效应是由寄生双极型晶体管NPN和PNP形成的PNPN结构引起的,可以利用双极型晶体管原理去分析PNPN结构,双极型晶体管原理是理解和分析闩锁效应的物理基础。
本章侧重介绍双极型晶体管原理和CMOS工艺集成电路中的寄生双极型晶体管,以及阱等效电阻。
CMOS工艺集成电路的闩锁效应是由寄生双极型晶体管NPN和PNP形成的PNPN结构引起的,可以利用双极型晶体管原理去分析PNPN结构,双极型晶体管原理是理解和分析闩锁效应的物理基础。
本章侧重介绍双极型晶体管原理和CMOS工艺集成电路中的寄生双极型晶体管,以及阱等效电阻。