CMOS集成电路闩锁效应
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第3章 闩锁效应的分析方法

要了解CMOS集成电路中寄生PNPN结构的物理机理,必须要有一种有效的分析方法,目前业界比较常用的分析方法有三种:第一种是传输线脉冲技术;第二种是直流测量技术;第三种是标准的闩锁效应测试机台。

本章侧重介绍闩锁效应的分析方法、PNPN闩锁效应的物理机理和NPN闩锁效应的物理机理。