![硅基射频器件的建模与参数提取](https://wfqqreader-1252317822.image.myqcloud.com/cover/930/43737930/b_43737930.jpg)
2.5.3 三维电感的模型参数提取
下面介绍三维电感的模型参数提取过程,首先本征基本单元总电阻nRC可以由-1/Y21的实部确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_66.jpg?sign=1738847278-cKDiEXg7QOBae90LAAEZsKZ1Kd0M7Pv7-0-1ed78ee47f62bf6e89d8798ede9ba519)
本征基本单元总的电感Lvia+nLC可以由-1/Y12的虚部在低频情况下确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_67.jpg?sign=1738847278-MexHsOuMYcY5hgwuEOPsxv4OLV2Vqm38-0-88e7a5ff90147b49a7113477de6b4567)
式中,n为本征基本单元的数目,ω为角频率。
氧化层电容Cox1和Cox2由-1/(Y11+Y12)和-1/(Y22+Y12)的虚部在低频情况下确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_68.jpg?sign=1738847278-332qaDXl38QBeePJEtxzRAB0urrdjueo-0-f33b63ee21b0670e9b3585b9aed0656c)
衬底电阻Rsub1和Rsub2可以由下面的公式估计:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_69.jpg?sign=1738847278-yfgysWCM4Zl4NBUhGQcyoV8B56LpsZMu-0-0a0bfa6ee71cb3ffa342226bdc052566)
衬底电容Csub1和Csub2可以由下面的公式估计:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_70.jpg?sign=1738847278-1DgnoHlIYGWbowwJjnF23x1oDNQoXex8-0-8d64cdf9fe23dd8302ce5b593ea53f92)
耦合电容CC可以利用平板电容公式确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_71.jpg?sign=1738847278-5xd58RwgU9Xqsky01nZOD3db7cQdW58E-0-ab867e67adbf4018cb0594d719f63acf)
式中,ε为介电常数,D为两层金属层之间介质的厚度,WC和LC分别为金属线圈的宽度和厚度。
两层金属间圆柱通孔的高度大约有几微米,远远小于工作波长的十分之一,因此其电感量Lvia可以由微带线的计算公式来估计:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_72.jpg?sign=1738847278-ET0EOzmmgaZVsSmh69jNTJGGzc3snqpm-0-f2be20f62c36d2f00479328157b9b306)
式中,c为自由空间光的速度,Zo为馈线的特性阻抗,L为馈线长度和圆柱通孔高度之和。
图2.38给出了电感Lvia+nLC和本征电阻RC在低频情况下的提取结果,从图中可以看到,在0.1~2.0GHz的频段范围内几乎为常数。图2.39给出了衬底电阻Rsub1和Rsub2的提取结果,从图中可以看到,输入/输出端口的衬底电阻很接近。
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_73.jpg?sign=1738847278-WjmAVZURW1QJS3vI4JjX4xynE05MOkVu-0-250a498fd665dc7638c431bb9c7e8fac)
图2.38 电感Lvia+nLC和本征电阻RC在低频情况下的提取结果
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_74.jpg?sign=1738847278-J1l3GYEAwUfvyamWw232OX86aTssSx4T-0-ddc47c59cfbd844aecdcd9e219775c6c)
图2.39 衬底电阻Rsub1和Rsub2的提取结果
表2.7给出了提取的模型参数,其中第一列数值为直接提取结果,第二列数值为进一步优化的结果。图2.40给出了10MHz~20GHz频段S参数模拟和测试对比曲线,可以看出,模拟结果和测试结果吻合得很好。图2.41给出了10MHz~20GHz频段S参数精度对比曲线,可以发现和传统模型相比,本文所提出模型S11的精度在高频范围内得到了较大的改善。
表2.7 三维电感模型参数
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![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_76.jpg?sign=1738847278-MhPHWLEWMjUChJBlof7BvPOBONFmHhDv-0-188bbb986a08ee6736b65760777a473e)
图2.40 三维电感S参数模拟和测试对比曲线
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_77.jpg?sign=1738847278-FDgfiXuJb2IpP0J28OFLwe7azqMsjwe1-0-73b7fd8065d4f1ad56188b03ce141103)
图2.41 三维电感S参数精度对比曲线